DDR3
ECC 暫存記憶體
DDR3 RDIMM
特點
- 內建暫存器以加強時脈、指令及控制訊號
- ECC DIMM 內建錯誤修正和偵測功能
- 通過全面測試，具最佳化穩定性和效能
- 採用原廠 IC，滿足嚴格業界標準
- JEDEC 標準 1.5V（1.425V ~ 1.575V）與 1.35V（1.28V ~ 1.45V）電壓
- 運作環境：0°C ~ 85°C
- 30μ” 金手指
- 符合 RoHS 標準，通過 CE / FCC 認證
DDR3 RDIMM 是一款效能持久的工業用記憶體模組，專為伺服器及網路服務市場所設計。此模組搭載 30μ”金手指，內建單位元糾錯功能及暫存器，可加強時脈、指令及控制訊號。除了有 2GB、4GB 和 8GB 容量外，更提供 1333MT/s、1600MT/s 及 1866MT/s 速度選項。
錯誤更正碼（ECC）功能，可偵測及修正資料儲存及傳輸過程中個別位元的錯誤。ECC 模組採用漢明碼或三重模組冗餘，以進行錯誤偵測及修正，可自行管理糾錯，無須要求資料源重新發送原始資料。
第三方測試，確保強固可靠
強固耐用的元件，是滿足嚴苛環境需求不可或缺的要素。我們的解決方案通過第三方的嚴謹測試，經驗證可滿足嚴苛的業界標準，在極端條件下依然強固，確保在各種應用情境中維持可靠效能。
| 包裝落下測試 | 落下高度 76 公分 , ISTA-1A |
| 冷熱衝擊測試 | -40°C ~ 110°C , 500 次 |
| DRAM 模組插拔測試 | 100 次 , EIA-364-9 |
針對您的特定需求量身打造
U 型強固技術
U 型強固技術（Side Fill）可強化晶片與電路板的連接部分，即使在劇烈振動或外力衝擊的環境中，仍可提供絕佳保護。
敷形塗層技術
敷形塗層技術（Conformal Coating）在 DRAM 印刷電路板上添加壓克力保護層，避免受到濕氣、灰塵和腐蝕性物質等有害元素所影響。
探索多元應用場景與成功實例
邊緣伺服器
專為邊緣運算設計，我們的解決方案能在嚴苛環境下確保穩定效能，支援邊緣設備的即時資料處理。
資料中心
作為現代運算的核心動力，我們的解決方案為資料密集型的運算提供高效能與可靠性。
網路通訊
我們的解決方案能在高負載下提供可靠不間斷的穩定效能，成為網路與通訊基礎建設的最強奧援。
規格表
| Model Name | DDR3 RDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR3 Memory |
| DIMM Type | RDIMM |
| Speed | 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB |
| Function | Registered Memory with ECC |
| Pin Number | 240pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.35V, 1.5V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C |
| 30μ” Gold Finger | Y |
產品料號
型號 | IC 配置 | Rank | 溫度 | 簡介 |
ACT2GHR72N8H1866M | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB RDIMM |
ACT4GHR72P8H1866M | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB RDIMM |
ACT4GHR72N8J1866M | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB RDIMM |
ACT8GHR72P8J1866M | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 8GB RDIMM |
ACT2GHR72N8H1866M-LV | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 2GB RDIMM |
ACT4GHR72P8H1866M-LV | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB RDIMM |
ACT4GHR72N8J1866M-LV | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB RDIMM |
ACT8GHR72P8J1866M-LV | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB RDIMM |
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