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DDR4 Mini ECC VLP

DDR4

ECC 無緩衝記憶體

DDR4 Mini ECC VLP

特點

  • 適用於小型路由器、交換器和橋接器
  • 1U 系統專用的超矮版設計
  • ECC DIMM 內建錯誤修正和偵測功能
  • 通過全面測試,具最佳化穩定性和效能
  • 採用原廠 IC,滿足嚴格業界標準
  • 對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制
  • 運作環境:0°C ~ 95°C(Tc)
  • 符合 RoHS 標準,通過 CE / FCC 認證
     
為卓越效能而打造

DDR4 Mini ECC VLP 是一款超矮版的緊湊型記憶體模組,可裝入最小的路由器、交換器和橋接器中。此模組搭載 30μ”金手指,內建單位元糾錯功能。 

VLP 系列模組特別適用於 1U 系統,例如系統高度不到 1.18 英吋的刀鋒伺服器資料中心。模組的超矮版設計可改善系統內部通風條件,有效降低高溫影響。

錯誤更正碼(ECC)功能,可偵測及修正資料儲存及傳輸過程中個別位元的錯誤。ECC 模組採用漢明碼或三重模組冗餘,以進行錯誤偵測及修正,可自行管理糾錯,無須要求資料源重新發送原始資料。

添加抗硫化保護層,確保模組安全無虞

硫在許多產業中都相當常見。當 DRAM 晶片內部的銀合金接觸硫化氣體時,即會發生腐蝕反應,進而可能造成導電性劣化、導致產品更快故障。為了避免此類憾事,宜鼎針對較易損壞的零件添加了抗硫化保護層,有效抵禦環境中的硫化影響。


  Anti-Sulfuration >  

第三方測試,確保強固可靠

強固耐用的元件,是滿足嚴苛環境需求不可或缺的要素。我們的解決方案通過第三方的嚴謹測試,經驗證可滿足嚴苛的業界標準,在極端條件下依然強固,確保在各種應用情境中維持可靠效能。

 

包裝落下測試
落下高度 76 公分 , ISTA-1A
軍用標準振動測試
振動頻率 10 Hz ~ 500 Hz
MIL-STD-810G 514.7

針對您的特定需求量身打造

U 型強固技術

U 型強固技術(Side Fill)可強化晶片與電路板的連接部分,即使在劇烈振動或外力衝擊的環境中,仍可提供絕佳保護。

敷形塗層技術

敷形塗層技術(Conformal Coating)在 DRAM 印刷電路板上添加壓克力保護層,避免受到濕氣、灰塵和腐蝕性物質等有害元素所影響。

探索多元應用場景與成功實例

邊緣伺服器
邊緣伺服器

專為邊緣運算設計,我們的解決方案能在嚴苛環境下確保穩定效能,支援邊緣設備的即時資料處理。

資料中心
資料中心

作為現代運算的核心動力,我們的解決方案為資料密集型的運算提供高效能與可靠性。

網路通訊
網路通訊

專為高負載和不間斷運作的需求而設計,以確保關鍵通訊基礎設施的高效與穩定性能。

規格表

Model NameDDR4 Mini ECC VLP
DDR GenerationDDR4 Memory
DIMM TypeMini ECC VLP
Speed2400 MT/s, 2666 MT/s
Density4GB, 8GB, 16GB, 32GB
FunctionECC Unbuffered Memory
Pin Number288pin
Bus Widthx72
Voltage1.2V
PCB Height0.738 Inches
Operating Temperature0°C ~ 95°C (Tc)
30μ” Gold FingerY
Anti-SulfurationY

產品料號

型號

IC 配置

Rank

溫度

簡介

M4M0-4GSSXCSJ

512M x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 2400 4GB Mini ECC VLP

M4M0-8GSSYCIK

512M x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 2666 8GB Mini ECC VLP

M4M0-8GSSYCSJ

512M x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 2400 8GB Mini ECC VLP

M4M0-8GS1XCSJ

1G x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 2400 8GB Mini ECC VLP

M4M0-AGS1YCIK

1G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 2666 16GB Mini ECC VLP

M4M0-AGS1YCSJ

1G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 2400 16GB Mini ECC VLP

M4M0-BGM2YCIK

2G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 2666 32GB Mini ECC VLP

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