SD 記憶卡 & MicroSD 記憶卡
32GB ~ 512GB
MicroSD 記憶卡 3TE4
特點
- 符合 SD 6.1 / SD 3.0 / SD 2.0 介面標準
- 支援 Class 10 UHS-III
- 採用 3D TLC NAND 快閃記憶體
- 效能優異
- 適用於可攜式與固定式應用
- 支援 S.M.A.R.T. 功能
宜鼎 MicroSD 3TE4 系列支援 Class 10 UHS-I，專為工業電腦及嵌入式應用所設計。此 3.0 系列 SD 記憶卡搭載最新韌體架構及快閃記憶體演算法，包括優異的耗損平均（Wear Leveling）與讀取干擾管理（Read Disturb Management）技術，確保高度可靠性及耐用性。
本系列產品採用高品質 TLC NAND 快閃記憶體，符合 SD 6.1、SD 3.0 和 SD 2.0 規格，並提供 32GB 至 512GB 等多種容量選擇。憑藉低功耗設計與多項強化功能，宜鼎 MicroSD 3TE4 系列適用於工業自動化、單板電腦（SBC）、醫療器材、資訊娛樂系統及行動應用。
Wear Leveling 耗損平均技術，延長產品壽命
宜鼎採用創新的耗損平均技術，徹底革新 SSD 儲存方式，進而提升使用壽命。透過將此技術導入在動態與靜態儲存區塊，弭除傳統「熱區」和「冷區」的概念，達到 100% 全區耗損平衡，最佳化利用每個快閃記憶儲存區塊。
探索多元應用場景與成功實例
工業 / 嵌入式系統
專為極端環境所設計，我們的產品具備高耐用度，滿足工業自動化和嵌入式系統的需求。
媒體娛樂
透過我們的技術整合實力，能為客戶提供安全可靠、符合法規標準，並優化設備壽命的解決方案。
工業自動化
提升工業自動化系統的效率，我們產品提供精準的資料管理與長穩的效能表現。
規格表
| Model Name | MicroSD Card 3TE4 |
|---|---|
| Flash Type | 3D TLC |
| Interface | SD 3.0, SD 6.1 |
| Form Factor | MicroSD Card |
| Capacity | 32GB ~ 512GB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 90 / 80 |
| P/E Cycle | 3,000 |
| TBW (Max.) | 1,363 |
| Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Max. Power Consumption | 0.7W |
| Max. Channels | 1 |
| External DRAM Buffer | N |
| Features | S.M.A.R.T. |
| Dimension (W x L x H/mm) | 11.0 x 15.0 x 1.0 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | 1500G@0.5ms |
| MTBF | >3 million hours |
| Warranty | 3 Years |
產品料號
運作溫度 | 類寬溫溫度 (-25°C ~ 85°C) | 工業級溫度 (-40°C ~ 85°C) |
32GB | DESDM-32GS06EE1SL | DESDM-32GS06EW1SL |
64GB | DESDM-64GS06%E1SL | DESDM-64GS06%W1SL |
128GB | DESDM-A28S06%E1SL | DESDM-A28S06%W1SL |
256GB | DESDM-B56S06%E1SL | DESDM-B56S06%W1SL |
512GB | DESDM-C12S06%E1SL | DESDM-C12S06%W1SL |
%. G : 96 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
32GB is only supported by 64 layers 3D TLC
