
Tarjetas SD & MicroSD
Soluciones iSLC Ultra
Tarjeta SD Industrial 3IE4
Características
- Compatible con interfaz SD 6.1 / SD 3.0 / SD 2.0
- Soporta Clase 10 con UHS-III
- Alto rendimiento
- Gestión de fallos de energía
- Implementación de algoritmo LDPC ECC
Innodisk 3IE4 es una solución de tarjeta SD de grado industrial con un controlador industrial integrado, diseñada para aplicaciones embebidas. Con tecnologías Flash mejoradas y un potente motor LDPC ECC configurable, SD 3IE4 puede alcanzar altas tasas de transferencia de datos.
La tarjeta SD industrial Innodisk 3IE4 ofrece una amplia gama de capacidades de 8GB a 64GB con memoria NAND Flash TLC y es totalmente compatible con las especificaciones SD 3.0 y SD 2.0.
Está especialmente diseñada para PC industriales y aplicaciones embebidas de alto rendimiento. Gracias a su bajo consumo de energía y las características mencionadas, la tarjeta SD industrial Innodisk 3IE4 puede utilizarse en automatización industrial, computadoras de placa única (SBC), equipos médicos, sistemas de infoentretenimiento y aplicaciones móviles.
CICLO DE P/E DE 100.000, MAYOR VIDA ÚTIL (33x)
La tarjeta SD Industrial 3IE4, equipada con 3D TLC NAND Flash BiCS5 de 112 capas y la tecnología exclusiva Ultra iSLC de Innodisk, alcanza un ciclo de programación/borrado (P/E) líder en la industria de 100 000. Este avance prolonga la vida útil del dispositivo hasta 33 veces en comparación con la tecnología 3D TLC NAND Flash convencional.

Protección Anti-escritura: SEGURIDAD REFORZADA PARA LOS DATOS
Con la tecnología de protección anti-escritura integrada en los SSD de Innodisk, permite a los usuarios activar la función de solo lectura para proteger los datos críticos en dispositivos de almacenamiento flash, evitando modificaciones no autorizadas o usos malintencionados.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
ESPECIFICACIONES
Model Name | Industrial SD Card 3IE4 |
---|---|
Flash Type | iSLC (3D TLC) |
Interface | SD 3.0, SD 6.1 |
Form Factor | SD Card |
Capacity | 8GB ~ 64GB |
Sequential R / W (MB/sec, max.) | 90 / 80 |
P/E Cycle | 30,000 / 100,000 |
TBW (Max.) | 5,680 |
Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
Max. Power Consumption | 0.5W |
Max. Channels | 1 |
External DRAM Buffer | N |
Features | H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
Dimension (W x L x H/mm) | 24.0 x 32.0 x 2.1 |
Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
Shock | 1500G@0.5ms |
MTBF | >3 million hours |
Warranty | 5 Years |
INFORMACIÓN DE P/N
Temperatura Operativa | Grado Extendida (-25°C ~ 85°C) | Grado Industrial (-40°C ~ 85°C) |
8GB | DHSDC-08GS06EE1SL | DHSDC-08GS06EW1SL |
16GB | DHSDC-16GS06%E1SL | DHSDC-16GS06%W1SL |
32GB | DHSDC-32GS06%E1SL | DHSDC-32GS06%W1SL |
64GB | DHSDC-64GS06%E1SL | DHSDC-64GS06%W1SL |
%. G : 96 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
8GB is only supported by 64 layers 3D TLC.