DDR4
ECC 無緩衝記憶體
DDR4 ECC SODIMM
特點
- 小型雙列直插式記憶體模組
- ECC DIMM 內建錯誤修正和偵測功能
- 通過全面測試，具最佳化穩定性和效能
- 採用原廠 IC，滿足嚴格業界標準
- 對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制
- JEDEC 標準 1.2V（1.26V ~ 1.14V）電壓
- 運作環境：0°C ~ 95°C（Tc）
- 30μ”金手指，符合 RoHS 標準，通過 CE / FCC 認證
DDR4 ECC SODIMM 提供業界最快的 3200MT/s 無緩衝記憶體速度，完全相容於 Intel® Purely 平台。此模組搭載 30μ”金手指，內建單位元錯誤修正功能，專為網路及伺服器應用設計。模組提供 2GB、4GB、8GB、16GB 和 32GB 等容量，速度亦包含2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等選項。
錯誤更正碼（ECC）功能，可偵測及修正資料儲存及傳輸過程中個別位元的錯誤。ECC 模組採用漢明碼或三重模組冗餘，以進行錯誤偵測及修正，可自行管理糾錯，無須要求資料源重新發送原始資料。
添加抗硫化保護層，確保模組安全無虞
硫在許多產業中都相當常見。當 DRAM 晶片內部的銀合金接觸硫化氣體時，即會發生腐蝕反應，進而可能造成導電性劣化、導致產品更快故障。為了避免此類憾事，宜鼎針對較易損壞的零件添加了抗硫化保護層，有效抵禦環境中的硫化影響。
第三方測試，確保強固可靠
強固耐用的元件，是滿足嚴苛環境需求不可或缺的要素。我們的解決方案通過第三方的嚴謹測試，經驗證可滿足嚴苛的業界標準，在極端條件下依然強固，確保在各種應用情境中維持可靠效能。
| 彎曲測試 | 撓度 1.2 mm, EIAJ-4702 |
| DRAM 模組插拔測試 | 100 次, EIA-364-9 |
| 包裝落下測試 | 落下高度 76 公分, ISTA-1A |
| 冷熱衝擊測試 | -40°C ~ 110°C, 500 次 |
| 軍用標準振動測試 | 振動頻率10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
| 抗硫化測試 | 480 小時, ASTM B809-95 |
針對您的特定需求量身打造
U 型強固技術
U 型強固技術（Side Fill）可強化晶片與電路板的連接部分，即使在劇烈振動或外力衝擊的環境中，仍可提供絕佳保護。
敷形塗層技術
敷形塗層技術（Conformal Coating）在 DRAM 印刷電路板上添加壓克力保護層，避免受到濕氣、灰塵和腐蝕性物質等有害元素所影響。
探索多元應用場景與成功實例
Next-Gen Networking: How DRAM Memory Empowers Data Center Switches Amid the Data Explosion
This shift has made edge computing and cloud computing two parallel and complementary architectures, working together to support the demands of modern digital infrastructure.
邊緣伺服器
專為邊緣運算設計，我們的解決方案能在嚴苛環境下確保穩定效能，支援邊緣設備的即時資料處理。
資料中心
作為現代運算的核心動力，我們的解決方案為資料密集型的運算提供高效能與可靠性。
網路通訊
我們的解決方案能在高負載下提供可靠不間斷的穩定效能，成為網路與通訊基礎建設的最強奧援。
規格表
| Model Name | DDR4 ECC SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC SODIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
產品料號
型號 | IC 配置 | Rank | 溫度 | 簡介 |
M4D0-2GSVPCEM | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 2GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSXPCEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSSPCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSYPCEM | 1G x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSSQCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GS1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GM1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-BGS2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
M4D0-BGM2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
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