DDR4
ECC 비버퍼 메모리
DDR4 ECC SODIMM
특징
- 소형 듀얼 인라인 메모리 모듈(EILM)
- ECC DIMM은 오류 수정 및 감지 기능을 내장하고 있습니다.
- 안정성과 성능을 위해 완벽하게 테스트 및 최적화되었습니다.
- 엄격한 산업 표준을 충족하는 정품 IC를 사용합니다.
- 황화 방지 기능으로 열악한 환경에서도 사용 가능합니다.
- JEDEC 표준 1.2V (1.26V ~ 1.14V)
- 작동 환경: 0°C ~ 95°C (Tc)
- 30μ” 금도금 및 RoHS 준수, CE/FCC 인증
DDR4 ECC SODIMM은 업계 최고 수준의 3200MT/s 언버퍼드 메모리 속도를 제공하며, Intel® Purely 플랫폼과 완벽하게 호환됩니다. 이 모듈은 30μ” 금도금 핑거를 탑재하고 단일 비트 오류 정정 기능을 제공하며, 네트워킹 및 서버 환경에 최적화되어 있습니다. 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB 용량으로 제공되며, 2133MT/s, 2400MT/s, 2666MT/s, 2933MT/s 모듈도 선택 가능합니다.
ECC 기능은 데이터 저장 및 전송 중 발생하는 단일 비트 오류를 감지하고 수정하도록 설계되었습니다. ECC 모듈은 해밍 코드 또는 3중 모듈 중복(Triple Modular Redundancy) 방식을 사용하여 오류를 감지하고 수정하며, 데이터 소스에 원본 데이터 재전송을 요청하지 않고 자체적으로 오류를 수정합니다.
황산화 방지 보호 층으로 모듈 보호
유황은 여러 산업 분야에 널리 퍼져 있습니다. DRAM 칩의 은 합금이 유황 가스와 만나면 부식 반응이 일어납니다. 이러한 황산화는 전도도를 낮추고 제품의 고장을 빠르게 유발할 수 있습니다. 이를 방지하기 위해, Innodisk는 은 합금을 보호하도록 취약한 부분 위에 보호 레이어를 추가합니다.
제3자 테스트를 통해 입증된 안정성
까다로운 환경에 요구되는 사항을 충족하려면 부품의 내구성과 안정성을 보장하는 것이 필수적입니다. Innodisk의 솔루션은 엄격한 업계 표준을 준수하는 엄격한 타사 테스트를 거칩니다 이러한 테스트를 통해 극한의 환경에서 제품의 견고함을 검증하여 다양한 어플리케이션에서 믿을 수 있는 성능을 보장합니다.
| 벤딩 테스트 | 편향 1.2 mm, EIAJ-4702 |
| DRAM 모듈 삽입 및 추출 테스트 | 최대 100회 주기, EIA-364-9 |
| 패키지 낙하 테스트 | 낙하 높이 76cm, ISTA-1A |
| 열 충격 | -40°C ~ 110°C, 500회 주기 |
| 군용 표준 진동 테스트 | 진동 주파수 10Hz ~ 500Hz MIL-STD-810G 514.7 |
| 황산화 방지 테스트 | 480시간, ASTM B809-95 |
귀하의 특정 요구 사항에 맞춘 맞춤형
사이드 필
사이드 필은 칩과 보드 사이의 연결을 강화하여 진동이나 기계적 스트레스가 심한 환경에서 월등한 보호 기능을 제공합니다.
컨포멀 코팅
컨포멀 코팅은 DRAM PCB 위에 보호 아크릴 층을 입혀 습기, 먼지, 부식성 물질과 같은 유해 요소로부터 보호합니다.
동적 환경에서 성공적으로 실행하기
Next-Gen Networking: How DRAM Memory Empowers Data Center Switches Amid the Data Explosion
This shift has made edge computing and cloud computing two parallel and complementary architectures, working together to support the demands of modern digital infrastructure.
엣지 서버
엣지 컴퓨팅에 맞춰 설계되어, Innodisk의 제품들은 엣지 디바이스에서 실시간 데이터 처리를 지원하여 열악한 환경에서도 안정적인 성능을 보장합니다.
데이터 센터
최신 컴퓨팅의 중추를 담당하는 당사의 솔루션은 데이터 집약적 작동에 맞는 높은 성능과 안정성을 제공합니다.
통신
Innodisk의 솔루션은 과부하 상태에서도 네트워킹 및 중요 통신 인프라를 지원하여 안정적이고 중단 없는 성능을 보장합니다.
사양
| Model Name | DDR4 ECC SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC SODIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
주문 정보
제품 번호 | IC 구성 (IC Config.) | 랭크 (Rank) | 온도 범위 | 설명 |
M4D0-2GSVPCEM | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 2GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSXPCEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSSPCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSYPCEM | 1G x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSSQCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GS1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GM1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-BGS2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
M4D0-BGM2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
*다른 속도의 제품에 대해서는 이노디스크에 문의하십시오.
