DDR4
Non-ECC 無緩衝記憶體
DDR4 SODIMM
特點
- 小型雙列直插式記憶體模組
- 通過全面測試，具最佳化穩定性和效能
- 採用原廠 IC，滿足嚴格業界標準
- 對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制
- JEDEC 標準 1.2V（1.26V ~ 1.14V）電壓
- 運作環境：0°C ~ 95°C（Tc）
- 符合 RoHS 標準
- 通過 CE / FCC 認證
DDR4 SODIMM 是一款尺寸緊湊的記憶體模組，提供業界最快的 3200MT/s 記憶體速度。非常適合各種嵌入式、安防監控及自動化應用。模組符合所有 JEDEC 相關標準，提供 2GB、4GB、8GB、16GB 及 32GB 等容量，速度亦包含 2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及2933MT/s 等選項。
添加抗硫化保護層，確保模組安全無虞
硫在許多產業中都相當常見。當 DRAM 晶片內部的銀合金接觸硫化氣體時，即會發生腐蝕反應，進而可能造成導電性劣化、導致產品更快故障。為了避免此類憾事，宜鼎針對較易損壞的零件添加了抗硫化保護層，有效抵禦環境中的硫化影響。
第三方測試，確保強固可靠
宜鼎產品經過嚴謹測試，在嚴苛環境下依然展現無可比擬的可靠性與效能。我們的解決方案經過廣泛驗證，確保符合業界標準。
| 彎曲測試 | 撓度 1.2 mm, EIAJ-4702 |
| DRAM 模組插拔測試 | 100 次 , EIA-364-9 |
| 包裝落下測試 | 落下高度 76 公分，ISTA-1A |
| 軍用標準冷熱衝擊測試 | -40°C ~ 110°C, 500 Cycles |
| 軍用標準振動測試 | 振動頻率 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
| 抗硫化測試 | 480 小時, ASTM B809-95 |
針對您的特定需求量身打造
U 型強固技術
U 型強固技術（Side Fill）可強化晶片與電路板的連接部分，即使在劇烈振動或外力衝擊的環境中，仍可提供絕佳保護。
敷形塗層技術
敷形塗層技術（Conformal Coating）在 DRAM 印刷電路板上添加壓克力保護層，避免受到濕氣、灰塵和腐蝕性物質等有害元素所影響。
探索多元應用場景與成功實例
工業 / 嵌入式系統
專為極端環境所設計，我們的產品具備高耐用度，滿足工業自動化和嵌入式系統的需求。
安防監控
專為數位時代監控而打造的解決方案，提供先進的數據分析和即時回應。
工業自動化
提升工業自動化系統的效率，我們產品提供精準的資料管理與長穩的效能表現。
規格表
| Model Name | DDR4 SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | SODIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| Anti-Sulfuration | Y |
產品料號
型號 | IC 配置 | Rank | 溫度 | 簡介 |
M4S0-2GSVZCEM | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 2GB SODIMM |
M4S0-4GSV8CEM | 256M x 16 | 2R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM |
M4S0-4GSSNCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM |
M4S0-4GSXZCEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM |
M4S0-4GMXZCEM | 512M x 16 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM |
M4S0-8GSSOCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-8GSX8CEM | 512M x 16 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-8GS1NCEM | 1G x 8 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-8GM1NCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-8GSYZCEM | 1G x 16 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-AGS1OCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-AGM1OCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-AGSY8CEM | 1G x 16 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-AGS2NCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-AGM2NCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-BGS2OCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB SODIMM |
M4S0-BGM2OCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB SODIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
