DDR4
Non-ECC 無緩衝記憶體
DDR4 SODIMM VLP
特點
- 小型雙列直插式記憶體模組
- 1U 系統專用的超矮版設計
- 通過全面測試，具最佳化穩定性和效能
- 採用原廠 IC，滿足嚴格業界標準
- 對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制
- JEDEC 標準 1.2V（1.26V ~ 1.14V）電壓
- 運作環境：0°C ~ 95°C（Tc）
- 符合 RoHS 標準且通過 CE / FCC 認證
DDR4 SODIMM VLP 採用超矮版設計，提供業界最快的 3200MT/s 記憶體速度，完全相容於 Intel® Purely 平台及 1U 裝置。模組符合所有 JEDEC 相關標準，並提供 4GB 及 8GB 容量，速度亦包含2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等選項。
VLP 系列模組特別適用於 1U 系統，例如系統高度不到 1.18 英吋的刀鋒伺服器資料中心。模組的超矮版設計可改善系統內部通風條件，有效降低高溫影響。
添加抗硫化保護層，確保模組安全無虞
硫在許多產業中都相當常見。當 DRAM 晶片內部的銀合金接觸硫化氣體時，即會發生腐蝕反應，進而可能造成導電性劣化、導致產品更快故障。為了避免此類憾事，宜鼎針對較易損壞的零件添加了抗硫化保護層，有效抵禦環境中的硫化影響。
第三方測試，確保強固可靠
強固耐用的元件，是滿足嚴苛環境需求不可或缺的要素。我們的解決方案通過第三方的嚴謹測試，經驗證可滿足嚴苛的業界標準，在極端條件下依然強固，確保在各種應用情境中維持可靠效能。
| 包裝落下測試 | Drop Height 76 cm, ISTA-1A |
| 冷熱衝擊測試 | -40°C ~ 110°C, 500 次 |
| 軍用標準振動測試 | 振動頻率 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
針對您的特定需求量身打造
U 型強固技術
U 型強固技術（Side Fill）可強化晶片與電路板的連接部分，即使在劇烈振動或外力衝擊的環境中，仍可提供絕佳保護。
敷形塗層技術
敷形塗層技術（Conformal Coating）在 DRAM 印刷電路板上添加壓克力保護層，避免受到濕氣、灰塵和腐蝕性物質等有害元素所影響。
探索多元應用場景與成功實例
網路通訊
我們的解決方案能在高負載下提供可靠不間斷的穩定效能，成為網路與通訊基礎建設的最強奧援。
規格表
| Model Name | DDR4 SODIMM VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | SODIMM VLP |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 0.7 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| Anti-Sulfuration | Y |
產品料號
型號 | IC 配置 | Rank | 溫度 | 簡介 |
M4S0-4GSS3CEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM VLP |
M4S0-8GS13CEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM VLP |
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