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E1.S 4TG2-P
E1.S 4TG2-P
E1.S 4TG2-P
E1.S 4TG2-P

EDSFF

데이터 센터를 위한 PCIe Gen4 솔루션

E1.S 4TG2-P

특징

  • 최대 6,900 / 4,700MB/s 읽기 및 쓰기 성능
  • SSD 안정성 유지를 위한 동적 열 스로틀링과 함께 -40°C ~ 85°C 지원
  • 전원 손실 보호를 위한 PLP (iCell) 기술
탁월한 성능으로 출시

Innodisk E1.S 4TG2-P는 표준 E1.S 폼 팩터의 NVMe SSD로, PCIe Gen 4 x4 인터페이스와 3D TLC NAND 플래시를 특징으로 합니다. Die RAID 보호 기능이 불량 블록 발생을 줄여 데이터 무결성을 강화합니다. 

초고속 속도, 높은 IOPS, 최대 8TB 용량으로 서버 및 데이터 집약적 애플리케이션에 이상적입니다.

극한 환경을 위한 광범위 온도 내성

E1.S 4TG2-P는 에지 서버를 위한 우수한 열 관리로 설계되었으며, -40°C ~ 85°C 온도 범위를 지원합니다. 독특한 폼 팩터와 동적 열 조절 메커니즘 고강도 작업 부하에서도 지속적인 최고 성능을 발휘합니다. 또한 Innodisk의 15mm 비대칭 히트싱크 설계로 뛰어난 방열 및 효율성을 보장합니다.

최대화된 저장 용량

E1.S 4TG2-P는 저장 밀도를 크게 증가시키는 고급 설계를 채택하여 단일 드라이브당 최대 8TB 용량을 제공합니다. 1U 서버의 제한된 공간에서도 뛰어난 저장 성능과 유연성을 시스템에 제공합니다. 

iCell 기술 - 전력 손실 보호

Innodisk의 iCell 기술은 예기치 않은 정전 시에도 DRAM 기반 SSD의 미션 크리티컬 데이터를 안전하게 보호합니다. 통합 iCells는 즉각적인 충전을 통해 데이터를 안전하게 저장하여 손실을 방지하고 데이터 무결성을 보장합니다.

  iCell > 

AES 256비트 데이터 암호화 및 TCG Opal 2.0 지원

Innodisk SSD는 기밀 데이터 보안을 위한 미 정부의 표준인 AES 256비트 암호화를 사용하며, 향상된 장치 관리와 사용자 친화적인 인증을 위해 TCG Opal 2.0도 지원합니다.

  AES & TCG Opal 2.0 > 

귀하의 특정 요구 사항에 맞춘 맞춤형

히트싱크 사용자 맞춤

Innodisk는 고객의 특정 스토리지 요구를 충족하기 다양한 높이의 히트싱크를 제공합니다.

동적 환경에서 성공적으로 실행하기

TRANSFORMING DATA CENTER WITH EFFICIENCY
TRANSFORMING DATA CENTER WITH EFFICIENCY

The rising trend of edge AI is driving the need for data storage and SSDs that support high-capacity tasks with high performance and low latency.

더 알아보기

사양

Model NameE1.S 4TG2-P
Flash Type3D TLC
InterfacePCIe Gen 4 x4
Form FactorE1.S
Capacity512GB ~ 8TB
Sequential R / W (MB/sec, max.)6,900 / 4,700
P/E Cycle3,000
TBW (Max.)19,129
Storage Temperature-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption12W
Max. Channels8
External DRAM Buffer
FeaturesPLP (iCell), AES, TCG Opal 2.0, S.M.A.R.T.
SeriesData Center SSD
Dimension (W x L x H/mm)5.9mm : 31.5 x 111.5 x 5.9 9.5mm : 33.75 x 118.75 x 9.5 15mm : 33.75 x 118.75 x 15.0
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock1500G@0.5ms
MTBF>3 million hours
Warranty3 Years

주문 정보

작동 온도

표준 온도 
(0°C ~ 70°C)

산업용 온도
(-40°C ~ 85°C)

512GB

DGE1S-C12DP1KCAEFP%

DGE1S-C12DP1KWAEFP%

1TB

DGE1S-01TDP2KCAEFP%

DGE1S-01TDP2KWAEFP%

2TB

DGE1S-02TDP2KCAEFP%

DGE1S-02TDP2KWAEFP%

4TB

DGE1S-04TDP2KCAEFP%

DGE1S-04TDP2KWAEFP%

8TB

DGE1S-08TDP2KCBEFP%

DGE1S-08TDP2KWBEFP%

 

Operation temperature based on temperature obtained from S.M.A.R.T.

% : Non-existent = 5.9mm / H = 9.5mm enclosure / H1 = 15mm enclosure

E1.S 4TG2-P specifications are subject to change.

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