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E1.S 4TG2-P
E1.S 4TG2-P
E1.S 4TG2-P
E1.S 4TG2-P
E1.S 4TG2-P

EDSFF

データセンター向け PCIe Gen4 ソリューション

E1.S 4TG2-P

特徴

  • 最大6,900MB/sの読み取り速度、4,700MB/sの書き込み速度
  • -40°C ~ 85°Cの温度範囲をサポートし、ダイナミックサーマルスロットリングによりSSDの安定性を維持
  • PLP(iCell)技術による停電保護
卓越したパフォーマンスを目指した設計

Innodisk E1.S 4TG2-Pは、標準E1.SフォームファクターのNVMe SSDで、PCIe Gen 4 x4インターフェースと3D TLC NANDフラッシュを備えています。Die RAID保護により不良ブロックの発生を低減し、データの整合性を強化します。

超高速のスピードと高IOPS、最大8TBの容量を実現し、サーバーおよびデータ集約型アプリケーションに最適です。

過酷な環境に対応する幅広い温度許容範囲

E1.S 4TG2-Pは、エッジサーバーにおける優れた熱管理を目的として設計されており、温度範囲は-40°Cから85°Cです。独自のフォームファクターとダイナミックサーマルスロットリング機構により、集中的なワークロード下でも持続的なピークパフォーマンスを実現します。さらに、Innodiskの15mm非対称ヒートシンク設計が卓越した放熱性と効率を確保します。

最大化されたストレージ容量

E1.S 4TG2-Pは先進的な設計を特徴とし、ストレージ密度を大幅に向上させ、単一ドライブで最大8TBの容量を提供します。コンパクトな1Uサーバースペース内でも、卓越したストレージ性能とシステムへの柔軟性を実現します。

iCellテクノロジー – 停電保護

InnodiskのiCellテクノロジーは、不慮の停電時にDRAMベースのSSDでミッションクリティカルなデータを安全に保護します。内蔵のiCellが瞬間的な充電を行ってデータを安全に保存し、データ損失を防いで整合性を保ちます。

  iCell > 

AES 256ビットデータ暗号化 & TCG Opal 2.0サポート

Innodisk SSDは、機密データ保護の米国政府規格、AES 256ビット暗号化を利用し、同時にTCG Opal 2.0をサポートしてデバイス管理を強化し、認証を扱いやすくしています。

  AES & TCG Opal 2.0 > 

顧客独自のニーズに合わせてカスタマイズ

ヒートシンクのカスタマイズ

Innodiskは特定のストレージ要件を満足させる、様々な高さのヒートシンクを提供します。

変化の激しい環境へ導入し、成功

TRANSFORMING DATA CENTER WITH EFFICIENCY
TRANSFORMING DATA CENTER WITH EFFICIENCY

The rising trend of edge AI is driving the need for data storage and SSDs that support high-capacity tasks with high performance and low latency.

詳細をご覧ください

注目リソース

Model NameE1.S 4TG2-P
Flash Type3D TLC
InterfacePCIe Gen 4 x4
Form FactorE1.S
Capacity512GB ~ 8TB
Sequential R / W (MB/sec, max.)6,900 / 4,700
P/E Cycle3,000
TBW (Max.)19,129
Storage Temperature-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption12W
Max. Channels8
External DRAM Buffer
FeaturesPLP (iCell), AES, TCG Opal 2.0, S.M.A.R.T.
SeriesData Center SSD
Dimension (W x L x H/mm)5.9mm : 31.5 x 111.5 x 5.9 9.5mm : 33.75 x 118.75 x 9.5 15mm : 33.75 x 118.75 x 15.0
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock1500G@0.5ms
MTBF>3 million hours
Warranty3 Years

注文情報

動作温度

標準温度
(0°C ~ 70°C)

産業用温度 
(-40°C ~ 85°C)

512GB

DGE1S-C12DP1KCAEFP%

DGE1S-C12DP1KWAEFP%

1TB

DGE1S-01TDP2KCAEFP%

DGE1S-01TDP2KWAEFP%

2TB

DGE1S-02TDP2KCAEFP%

DGE1S-02TDP2KWAEFP%

4TB

DGE1S-04TDP2KCAEFP%

DGE1S-04TDP2KWAEFP%

8TB

DGE1S-08TDP2KCBEFP%

DGE1S-08TDP2KWBEFP%

 

Operation temperature based on temperature obtained from S.M.A.R.T.

% : Non-existent = 5.9mm / H = 9.5mm enclosure / H1 = 15mm enclosure

E1.S 4TG2-P specifications are subject to change.

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